高分解能ラザフォード後方散乱分析（RBS）による銀負イオン注入熱酸化薄膜における銀の熱拡散分布の測定と拡散障壁による単層銀ナノ粒子の形成

摘要

絶縁物中の導体ナノ粒子は常温でもクーロン遮蔽を呈することを利用して，例えば，電界効果型トランジスタ（MOSFET）のゲート酸化膜中に導体のナノ粒子を形成して単電子メモリなどへの利用が期待されている．他方，近年素子の微細化のためMOSFETのゲート酸化膜の薄膜化が進み，10nmを下回るものとなっており，膜厚方向に一個だけの粒子が存在するという単層でのナノ粒子形成が求められてきた．