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机译:勘误为“关于复合结的隧道数的注释” [拓扑应用158(16)(2011)2240-2243]
Department of Mathematics, Dalian University, Dalian 116022, China;
Department of Mathematics, Dalian University, Dalian 116022, China;
Department of Mathematics, East China Normal University, Shanghai 200241, China;
机译:文章上的发布者注释:“方法论与概率论相遇” [Topology Appl。 158(7)(2011)836-852]
机译:勘误表:“植入铂的聚甲基丙烯酸甲酯纳米复合材料的电导率” [J.应用物理110,114905(2011)]
机译:勘误表:“具有再生源和AI2O3栅极电介质的InP / InGaAs复合金属氧化物半导体场效应晶体管的最大漏极电流超过1.3mA / | xm” [应用物理Express 4(2011)054201]
机译:勘误表:基于傅里叶的磁感应层析成像法用于绘制电阻率图 J.应用物理109014701(2011)
机译:勘误表为“关于复合结的隧道数的注意事项”。 158(16)(2011)2240-2243