ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Со~+ НА СОСТАВ И СВОЙСТВА СВОБОДНЫХ НАНОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР Si-Cu

摘要

Исследовано влияние имплантации ионов Со~+ на состав поверхности и профили распределения атомов по глубине гетероструктуры Si-Cu(100). После прогрева ионно-имплантированного образца сформировалась пленка CoSi_2 толщиной 50-60 Å. Обнаружено, что после ионной имплантации глубина проникновения Си в Si увеличилась в два раза.