ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ BaF_2 НА СЛОЯХ CaF_2/Si(100), ПОЛУЧЕННЫХ В ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ РЕЖИМЕ РОСТА

摘要

Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование морфологии поверхности эпитак-сиальных пленок BaF_2, выращенных с использованием молекулярно лучевой эпитаксии при различных режимах роста на поверхности CaF_2/Si(100). Слои CaF_2 на Si(100) были получены при температуре T_S = 750℃. Показано, что рост BaF_2 при T_S = 600℃ на начальной стадии приводит к образованию дефектов в виде "проколов" в эпитаксиальной пленке, в то время как рост при T_S = 750℃ обеспечивает получение бездефектных пленок с морфологией поверхности, приемлемой для последующего осаждения полупроводников типа А~4В~6 и твердых растворов на их основе.