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【24h】

The hemt: A superfast transistor: An experimental GaAs-AlGoAs device switches in picoseconds and generates little heat. This is just what supercomputers need

机译:最重要的是:超快晶体管:实验性的GaAs-AlGoAs器件在皮秒内切换,几乎不产生热量。这正是超级计算机所需要的

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摘要

A description is given of an experimental GaAs-AlGaAs device that switches in picoseconds and generates little heat. Known as MODFET or HEMT, the device is compared to other less conventional devices, and an outline is presented of its operation.
机译:给出了一个实验性的GaAs-AlGaAs器件的描述,该器件的开关时间为皮秒,几乎不产生热量。该器件被称为MODFET或HEMT,与其他较不常规的器件进行了比较,并概述了其工作原理。

著录项

  • 来源
    《IEEE Spectrum》 |1984年第2期|28-35|共8页
  • 作者

    Morkoc H.; Solomon P.M.;

  • 作者单位

    Dept. of Electrical Engng., Univ. of Illinois, Urbana, IL, USA|c|;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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