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机译:最重要的是:超快晶体管:实验性的GaAs-AlGoAs器件在皮秒内切换,几乎不产生热量。这正是超级计算机所需要的
Dept. of Electrical Engng., Univ. of Illinois, Urbana, IL, USA|c|;
机译:基于超快冲击电离前沿在SiC结构中的传播的皮秒级高压功率开关性能评估
机译:超高场多个耿氏域是双极GaAs晶体管超快(皮秒级)切换的物理原因
机译:GaAs双极晶体管的硫属化物玻璃表面钝化,用于独特的雪崩太赫兹发射器和皮秒开关
机译:基于谐振电感器和并联堆叠晶体管的大功率宽带GaN HEMT SPST / SPDT开关
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:皮秒激光在指甲靶中传输电子的实验观察
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。