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A JSSC classic paper: Evans and Womack on ferroelectric memory (FRAM)

机译:JSSC经典论文:关于铁电存储器(FRAM)的Evans和Womack

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摘要

In October 1988, the fifth most frequently cited article of the JSSC was published, titled “An experimental 512-bit nonvolatile memory with ferroelectric storage cell,” by Joseph T. Evans and Richard Womack.
机译:1988年10月,Joseph T. Evans和Richard Womack发表了JSSC第五篇最常被引用的文章,标题为“带有铁电存储单元的实验性512位非易失性存储器”。

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  • 来源
    《Solid-State Circuits Newsletter, IEEE》 |2003年第4期|12-12|共1页
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  • 正文语种 eng
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  • 入库时间 2022-08-17 23:40:20

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