机译:CIS,CIGS和CdTe基薄膜太阳能电池的硫化铟(III)缓冲层沉积技术的进展
Arkansas State Univ, Elect Engn Program, OMRL, State Univ, AR 72467 USA;
Arkansas State Univ, Elect Engn Program, OMRL, State Univ, AR 72467 USA;
Arkansas State Univ, Technol Program, State Univ, AR 72467 USA;
Indium (III) sulfide (In2S3); Buffer layer; Efficiency; Solar cell; Thin Film Solar Cell (TFSC);
机译:通过原子层化学气相沉积(ALCVD)沉积具有硫化铟缓冲层的高效铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池
机译:原子层化学气相沉积法制得的CIGS太阳能电池缓冲层掺杂镁的ZnO薄膜
机译:ZnS(O,OH)缓冲层的超声化学浴沉积及其在CIGS薄膜太阳能电池中的应用
机译:电镀铟(III)硫化物(IN2S3)膜,使用有机电解质的PV(异质结太阳能电池)系统的电位缓冲材料的统计分析
机译:一种统计方法,用于优化电沉积硫化铟(III)(In2S3)膜的参数,这是光伏应用中潜在的低危害缓冲层。
机译:锡薄膜的等离子体增强的原子层沉积作为CIGS太阳能电池的有效SE扩散屏障
机译:铜铟镓铝硒(CIGS)的层(LBL)纳米组装法制备薄膜太阳能电池
机译:磷化铟/硫化镉薄膜太阳能电池。 1979年12月至1980年4月第3号季度技术进步报告