机译:垂直隧道交界处(VTJ)GaAs太阳能电池的数值优化和复合效应高达10,000个太阳
Univ Jaen Ctr Estudios Avanzados Ciencias Tierra Energia & Jaen Spain;
Univ Jaen Ctr Estudios Avanzados Ciencias Tierra Energia & Jaen Spain;
Univ Santiago de Compostela Ctr Singular Invest Tecnoloxias Intelixentes Santiago Spain;
Univ Jaen Ctr Estudios Avanzados Ciencias Tierra Energia & Jaen Spain;
Univ Santiago de Compostela Ctr Singular Invest Tecnoloxias Intelixentes Santiago Spain;
Vertical solar cells; Series resistance; Gallium arsenide (GaAs); Tunnel diode; Concentrator photovoltaics;
机译:垂直隧道结(VTJ)太阳能电池,用于超高聚光(> 2000太阳)
机译:GaInP / GaAs / Ge三结太阳能电池n + -p GaAs中间电池中1.0 MeV电子辐照引起的非辐射复合中心的温度依赖性光致发光分析
机译:GaInP / GaAs双结串联太阳能电池顶部GaInP子电池中光生载流子的定位和复合的结构依赖性
机译:27.6%(1-sun,空气质量1.5 G)单片二结AlGaAs / GaAs太阳能电池和25%(1-sun,空气质量0 G)三结AlGaAs / GaAs / InGaAs层叠太阳能电池
机译:在有机太阳能电池的交界处:施主/受主界面的电荷产生和复合
机译:AlGaAs / GaAs异质结优化GaAs纳米线pin结阵列太阳能电池
机译:InGaP / GaAs / InGaAs三结太阳能电池的数值研究
机译:具有低应力变质底部结的倒置GaInp /(In)Gaas / InGaas三结太阳能电池:预印