机译:半绝缘GaAs中随温度变化的活化能和变程跳变
Univ Fed Itajuba, Inst Ciencias, Dept Quim & Fis, BR-37500903 Itajuba, MG, Brazil;
Univ Fed Minas Gerais, Dept Fis, BR-30123970 Belo Horizonte, MG, Brazil;
BEAM-EPITAXIAL GAAS; MBE GROWN GAAS; CONDUCTION; DEFECTS;
机译:稀释GaAs / Algaas孔系统中的可变范围跳跃
机译:三维可变范围跳跃(3D-VRH)和带传导模型的MnCO_2O_4 /聚吡咯纳米复合材料温度依赖传导机理研究
机译:部分无序石墨烯的电导:从依赖温度的跃迁到依赖于场的可变范围跳跃
机译:Tm(Ba_(2-x)Pr_x)Cu_3O_(7 +δ)中的热激活相移和变程跳变
机译:稀载流态中非晶半导体的传输特性:可变范围跳跃处理。
机译:卷起的InGaAs / GaAs微管的温度依赖性拉曼研究
机译:部分紊乱的石墨烯:从温度依赖于现场依赖的可变范围跳跃的交叉