机译:通过微波光电导衰减(mu-PCD)载流子寿命测量,InP / InGaAs / InP中InGaAs的均匀性
Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, State Key Labs Transducer Technol, Shanghai 200083, Peoples R China;
Chinese Acad Sci, Grad Sch, Beijing 100039, Peoples R China;
DOUBLE HETEROSTRUCTURES; HOLE DIFFUSION; RECOMBINATION; SILICON; WAFERS;
机译:掺杂和MOCVD条件对锌和碳掺杂InGaAs少数载流子寿命的影响及其在锌和碳掺杂InP / InGaAs异质结构双极晶体管中的应用
机译:通过
机译:InP / InGaAs / InP双异质结构中少数载流子扩散长度的无损测量
机译:使用微波光电电导光衰减(μ-PCD)技术,重组寿命表征和P-I-N INP / IN_(0.53)GA_(0.47)AS / INP MESA结构的映射
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:掺杂和MOCVD条件对锌 - 掺杂InGaAs少数型载体寿命的影响及其在锌和碳掺杂Inp / Ingaas异质结构双极晶体管的应用
机译:用于ULp应用的Inp / InGaas HBT和Inalas / InGaas HBT的比较