机译:高密度氧化多孔硅
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)—UMR5270 CNRS, INSA de Lyon, Universite de Lyon, 7 Avenue Jean Capelle Villeurbanne F-69621, France;
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)—UMR5270 CNRS, Universite Lyon 1, Universite de Lyon, 7 Avenue Jean Capelle Villeurbanne F-69621, France;
STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France;
STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France;
Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL)—UMR5270 CNRS, INSA de Lyon, Universite de Lyon, 7 Avenue Jean Capelle Villeurbanne F-69621, France;
机译:用于太阳能电池的自支撑外延硅薄膜,生长在硅和电化学氧化的多孔二氧化硅双多孔层上
机译:纳米压痕技术研究多孔硅和氧化多孔硅的力学性能
机译:根据体外细胞测试结果比较氧化多孔硅与裸露多孔硅作为光热剂对癌细胞的破坏
机译:基于氧化多孔硅牺牲技术的硅电容麦克风
机译:氢钝化和氧化的多孔硅的深度依赖性光致发光响应。
机译:热蒸发法在多孔硅上生长高密度氧化锌纳米棒
机译:聚焦质子束辐照制备低损耗氧化硅多孔硅条形波导