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Diffusion phenomena in atomic layer deposition

机译:原子层沉积中的扩散现象

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摘要

Atomic layer deposition (ALD) is a mature technology for the deposition of conformal thin films. During the ALD process or in a post-treatment, a variety of diffusion phenomena can occur which can not only deteriorate the desired product, but also can be used to fabricate materials or structures in a novel way. This special issue reviews some of the observed diffusion processes and strategies to make use of those.
机译:原子层沉积(ALD)是用于沉积共形薄膜的成熟技术。在ALD过程中或在后处理过程中,会发生各种扩散现象,这些现象不仅会使所需的产品变质,而且还可以用于以新颖的方式制造材料或结构。本期特刊回顾了一些观察到的扩散过程和策略,以利用这些过程和策略。

著录项

  • 来源
    《Semiconductor science and technology》 |2012年第7期|p.2.1-2.8|共8页
  • 作者

    Mato Knez;

  • 作者单位

    Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, D-06120 Halle, Germany, CIC nanoGUNE Consolider, Tolosa Hiribidea 76, 20018 Donostia-San Sebastian, Spain, Ikerbasque, Basque Foundation for Science, Alameda Urquijo 36-5,48011 Bilbao, Spain;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:31:05

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