机译:OBIC技术应用于从100K到450K的宽带隙半导体
Univ Lyon, INSA, CNRS AMPERE, F-69100 Villeurbanne, France;
Univ Lyon, INSA, CNRS AMPERE, F-69100 Villeurbanne, France;
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OBIC technique; photon generation; wide bandgap semiconductors; electric field; minority carrier lifetime; ionization coefficients; temperature dependence of ionization rates;
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