机译:具有大型导通电流的新型栅极控制双极复合场效应晶体管
Xidian Univ Sch Microelect Key Lab Minist Educ Wide Band Gap Semicond Mat & Devices Xian 710071 Peoples R China;
Xidian Univ Sch Microelect Key Lab Minist Educ Wide Band Gap Semicond Mat & Devices Xian 710071 Peoples R China;
Xidian Univ Sch Microelect Key Lab Minist Educ Wide Band Gap Semicond Mat & Devices Xian 710071 Peoples R China;
Xidian Univ Sch Microelect Key Lab Minist Educ Wide Band Gap Semicond Mat & Devices Xian 710071 Peoples R China;
MOSFET; BJT; breakdown voltage; threshold voltage;
机译:具有大型电流大电流的新型栅极控制双极复合场效应晶体管
机译:SIC栅极控制双极 - 场效应复合晶体管,具有大的导通电流
机译:具有集成齐纳二极管的低通态电压和饱和电流沟槽绝缘栅双极晶体管
机译:依赖于栅极控制横向PNP双极晶体管中电流降解的基础宽度和掺杂浓度,暴露于反应器中子和伽马射线
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:双边栅极控制S / D对称和可互换双向隧道场效应晶体管的结构参数和内部机制的影响研究
机译:新型SiC栅极控制双极场效应复合晶体管动态和静态特性的仿真研究