机译:基于NIO的忆阻模式,具有三种电阻开关模式
Sun Yat Sen Univ Sch Elect & Informat Technol State Key Lab Optoelect Mat & Technol Guangzhou 510275 Guangdong Peoples R China;
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Sun Yat Sen Univ Sch Elect & Informat Technol State Key Lab Optoelect Mat & Technol Guangzhou 510275 Guangdong Peoples R China|Shenzhen Inst Informat Technol Dept Elect Commun & Technol Shenzhen 518172 Guangdong Peoples R China;
NiO memristor; artificial neuron; analog resistive switching; digital resistive switching; volatile threshold resistive switching; synaptic plasticity;
机译:基于NIO的忆阻模式,具有三种电阻开关模式
机译:NiO基电阻开关存储器中电导的温度依赖性,显示了形成过程中的两种模式
机译:基于NiO的电阻开关存储设备中设置/重置操作的建模
机译:氧化物层的氧气量的影响以及在NIO基电阻开关单元的形成电压和初始电阻上的影响
机译:忆阻器应用中的二氧化锡电阻切换
机译:激光制造的氧化石墨烯忆阻器中的电阻切换和电荷传输:时间序列和量子点接触建模方法
机译:Ni金属膜的氧化动力学:基于NiO的电阻开关结构的形成