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A Replacement for RCA Cleans

机译:替代RCA清洗

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摘要

Finding a chemical mixture that is easier and whose properties allow extensive use for single and/or batch wafer cleaning — instead of the dominant RCA clean — is an industry-wide challenge. A researcher in France found that an OAM (ozonated acid mixture) could be the solution for a versatile cleaning dedicated to single-wafer treatment. However, the OAM cleaning step does not correspond with the traditional DHF:O_3 bath by the method of chemical blending and gas reaction. It continuously uses a fresh mixture, allowing the use of small concentrations of acid chemistries and a high level of ozone.
机译:寻找一种更容易且其特性可以广泛用于单次和/或批处理晶圆清洗的化学混合物,而不是占主导地位的RCA清洗,是整个行业的挑战。法国的一位研究人员发现,OAM(臭氧酸混合物)可能是专用于单晶片处理的多功能清洁解决方案。但是,通过化学混合和气体反应的方法,OAM清洗步骤与传统的DHF:O_3浴不同。它连续使用新鲜的混合物,从而允许使用低浓度的酸性化学物质和高浓度的臭氧。

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