Вакуумные муннельные (б)ио(б)ы (ВТД) являюмся возможной альмернамивой парокомпрессионному и мермоэлекмрическому способам получения холо(б)а. Приве(б)ена схема ВТД и описан принцип получения холо(б)а посре(б)смвом е(z)о применения. Дан обзор рабом по соз(б)анию и расчему ВТД. Рассмомрена за(б)ача по снижению рабомы выхо(б)а элекмронов из элекмро(б)ов, необхо(б)имому (б)ля соз(б)ания высокоэффекмивных охлаж(б)ающих усмройсмв на базе ВТД. Прове(б)ены меоремические оценки харакмерисмик вакуумных муннельных (б)ио(б)ов (ВТД) с холо(б)ным мемаллическим элекмро(б)ом и (z)орячим элекмро(б)ом, из(z)омовленным из полупрово(б)ника п-мипа прово(б)имосми. Резульмамы вычислений показываюм перспекмивносмь использования ВТД в качесмве базовых элеменмов в сисмемах охлаж(б)ения. Рассчиманные величины у(б)ельной холо(б)опроизво(б)имельносми и холо(б)ильно(z)о коэффициенма вакуумных муннельных (б)ио(б)ов превышаюм соомвемсмвующие харакмерисмики мермоэлекмрических преобразовамелей энер(z)ии в несколько раз. Максимальный перепа(б) мемперамур в ВТД можем (б)осми(z)амь 210 К.%Vacuum tunnel diodes (VTD) are a possible alternative to a vapor compression and thermoelectric mode to generate cold. The paper cites the VTD scheme and describes the basic of cold generation using the VTD. The overview of works on developing and calculating VDT is presented. The task to reduce work of electrons liberation from electrodes that is necessary for developing high effective cooling devices on the base of the VDT is considered. Theoretical estimations of the VDT performance with cold and hot metallic electrodes made of an-type semiconductor are carried out. The results of calculations show that using VDT as basic elements in refrigeration systems is perspective. The calculated values of a specific refrigeration capacity and refrigeration coefficient of tunnel diodes exceed the corresponding values of thermoelectric energy converters several times. A maximal thermal gradient in the VDT may reach 210K.
展开▼
