韓国• S Kハイニックス96層3DNAND開発加速72層と比ブ記憶容量30%拡大

摘要

【ソウル支局】韓国のSKハイニックスがメモリーセルを96層積層した3D NANDフラッシュメモリーの開発を加速させている。「バルテノン」のプロジェクト名で開発中のチップは、前世代の72層3D NANDに比べて記憶容量が30%拡大。データセンターなどで需要が拡大している大容量SSDをタ，ーゲヅトに早期市湯投入を目指す。