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机译:达尔文最多1 GEV的适用中子能扩展
机译:能量依赖分析在不超过3.4 GeV的能量区域中无背景的质子和中子的介子光子产生
机译:用koto未掺杂的CSI量热计测量光子和中子的脉冲形状辨别光子和中子的节能。
机译:中子的能谱穿透混凝土和钢屏蔽块的24个GEV / C质子入射在厚铜靶上
机译:在0.8-1.6 GEV质子辐照的W,NA靶标中中子阈值反应速率和能谱
机译:金+金碰撞中的质点中心= 130 GeV,质点中心= 200 GeV的带电粒子产生。
机译:高能中子光谱法校准Bonner球体延伸(BSE)
机译:中子的阈值反应速率和能谱在0.8-1.6 GeV质子辐射W,Na目标
机译:脉冲中子Bonner球技术在120 GeV质子设备中的适用性