机译:快速中子传感器的响应函数模拟及薄中子硅传感器的研制
National Institute of Radiological Sciences, Chiba 263-8555, Japan;
Fuji Electric Co. Ltd, Tokyo 191-8502, Japan,Cyclotron and Radioisotope Center, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan;
Fuji Electric Co. Ltd, Tokyo 191-8502, Japan;
Fuji Electric Co. Ltd, Tokyo 191-8502, Japan;
机译:薄硅中子传感器的模拟8 MeV中子响应函数
机译:低γ射线敏感性薄中子硅传感器的中子检测效率和响应功能
机译:碳化硅半导体探测器对D–T核反应中快速中子的响应的MCNPX模拟
机译:平面硅P-I-N二极管作为快速中子的传感器
机译:快中子辐照硅正P-N-正N二极管电容特性的深陷阱模型的建立。
机译:通过中子干涉在固体通道蛋白矢量导向一个单一的双层膜中/蒸汽和固/液界面 - 电压传感器域和电压门控的K +的结构表征
机译:使用硅吸收剂和过渡边缘传感器的快速中子光谱研究低温探测器
机译:一种确定快中子闪烁体响应函数的方法