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机译:IGBT和二极管的多方向开发:低损耗,坚固但轻巧(用户友好)的功率器件
Mitsubishi Electr Corp Power Semicond Device Dev Dept Power Device Works Nishi Ku 1-1-1 Imajukuhigashi Fukuoka Fukuoka Japan;
insulated gate bipolar transistors; power semiconductor diodes; power bipolar transistors; semiconductor device packaging; power loss reduction; power device developments; multidirectional development; diodes; IGBT; switching waveforms; cosmic ray endurance;
机译:Si-IGBT和SiC-二极管混合对的功率转换器的精确功率电路损耗估计方法
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:实用仿真器开发,用于使用IGBT的软开关和硬开关PWM逆变器的功率损耗性能分析
机译:使用低损耗IGBT的火车驱动系统功率单元的开发
机译:通过器件仿真开发基本设计规则并评估大功率碳化硅二极管的新颖设计结构。
机译:用于近红外光免疫疗法的植入式无线发光二极管(LED):体外和体内的设备开发和实验评估
机译:一种计算IGBT和反平行二极管功率损耗的通用仿真方法
机译:低损耗低保持功率二极管移相器开发。