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机译:费米能级钉扎诱导电子转移对C_(60)(亚)单层的掺杂
Institut fuer Physik, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Newtonstrasse 15, 12489 Berlin, Germany;
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Institut fuer Physik, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Newtonstrasse 15, 12489 Berlin, Germany Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, BESSY II, Albert-Einstein-Strasse 15, 12489 Berlin, Germany;
Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, BESSY II, Albert-Einstein-Strasse 15, 12489 Berlin, Germany;
Institut fuer Physik, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Newtonstrasse 15, 12489 Berlin, Germany;
Institut fuer Physik, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Newtonstrasse 15, 12489 Berlin, Germany Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, BESSY II, Albert-Einstein-Strasse 15, 12489 Berlin, Germany;
electron states at surfaces and interfaces; fullerenes and related materials; intercalation compounds; surface conductivity and carrier phenomena; interfaces; heterostructures; nanostructures;
机译:电子自发地从C_(60)转移到Au离子:C_(60)的氧化和空穴掺杂
机译:通过界面重构在Cu(111)上C_(60)单层的最佳电子掺杂
机译:光诱导的电子自旋共振研究固体C_(60)供体/受体配合物中的光诱导电子转移
机译:转移金刚石的掺杂:使用C_(60)和C_(60)F_(36)以实现p型表面电导率
机译:通过电荷转移掺杂实现钙钛矿和电子传输层界面的费米能级工程
机译:氮掺杂石墨烯:掺杂水平对电荷转移电阻和表观异质电子转移速率的影响
机译:从C-60到Au离子的自发电子转移:C-60的氧化和空穴掺杂