机译:通过接近平衡的分子动力学模拟确定Si / Ge界面的热边界电阻
Dipartimento di Fisica, Universita di Cagliari Cittadella Universitaria, I-09042 Monserrato (Ca), Italy;
Dipartimento di Fisica, Universita di Cagliari Cittadella Universitaria, I-09042 Monserrato (Ca), Italy;
Dipartimento di Fisica, Universita di Cagliari Cittadella Universitaria, I-09042 Monserrato (Ca), Italy;
thermal properties of crystalline solids;
机译:硅-二氧化硅界面的热边界电阻通过分子动力学模拟
机译:硅-二氧化硅界面的热边界电阻通过分子动力学模拟
机译:边界处理对界面热阻分子动力学模拟的影响
机译:分子动力学模拟预测隔离和紧密间隔的SI / SI_(1-x)GE_x界面的热边界电阻
机译:分子动力学计算机模拟玻璃中二氧化硅的表面和界面现象以及含α-氧化铝的晶间膜的刻面晶界。
机译:不可极化的无机盐溶液界面:NaClNaBr和NaI在可转移的分子间电势4点中具有电荷依赖性极化率(TIP4P-QDP)的分子动力学模拟
机译:通过接近平衡的分子动力学模拟确定Si / Ge界面的热边界电阻