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【24h】

An Analytical Model for Resistance-Limited Recombination at Line Defects in Solar Cells

机译:太阳能电池线缺陷处的有限电阻重组的分析模型

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摘要

In this paper, one-dimensional analytical model is presented that reproduces lateral changes in p-n junction voltage as a result of recombination at line defects. The model takes into account the majority charge carrier transport in the emitter and in the
机译:在本文中,提出了一种一维分析模型,该模型重现了由于线路缺陷处的重组而导致的p-n结电压的横向变化。该模型考虑了发射极和发射极中大多数电荷载流子的传输。

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