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机译:使用带有氮化硅氮化物半导体栅极的有机半导体薄膜晶体管对尖峰模拟神经电路进行建模
Department of Engineering Physics and the Centre for Emerging Device Technologies, McMaster University, Hamilton, Ontario, Canada;
Department of Electrical and Computer Engineering, McMaster University, Hamilton, Ontario, Canada;
Department of Green Energy and Semiconductor Engineering, Hoseo University, Asan, Chungnam 336-795, Republic of Korea;
Department of Green Energy and Semiconductor Engineering, Hoseo University, Asan, Chungnam 336-795, Republic of Korea;
Department of Engineering Physics and the Centre for Emerging Device Technologies, McMaster University, Hamilton, Ontario, Canada;
SONOS; amorphous; organic; TFT; hebbian learning;
机译:氨(NH_3)等离子体处理对具有可溶性有机半导体的有机薄膜晶体管的氮化硅(SiN_x)栅极电介质的影响
机译:绝缘体硅金属氧化物半导体场效应晶体管上薄膜双栅极/硅阈值电压的基于量子的有效模型
机译:氮化硅Sio_x薄膜的结构和电性能之间的相关性用作功率金属氧化物半导体场效应晶体管栅电介质
机译:使用具有氮化硅氮化物半导体分栅的非晶半导体薄膜晶体管,利用Hebbian学习对尖峰模拟神经电路进行建模
机译:新型有机半导体和用于有机薄膜晶体管的高电容栅极电介质。
机译:溶液加工氧化物半导体的光子固化具有高效的闸门吸收器和最小基板加热用于高性能薄膜晶体管
机译:通过调节π-共轭芯的延伸:Indolo 3,2-B咔唑和三吲哚半导体的壳体,通过调节延伸的空气稳定的p型有机薄膜晶体管
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)