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机译:在1211-1285 nm下工作的chi InGaAs量子点半导体光放大器中的宽带吸收漂白
Institute of Applied Research Vilnius University Saule'tekio 10 LT-10223 Vilnius Lithuania;
Department of Quantum Electronics and Laser Centre Vilnius University Sauletekio 10 LT-10223 Vilnius Lithuania;
School of Engineering Physics and Mathematics University of Dundee Dundee UK;
Innolume GmbH Konrad-Adenauer-Allee 11 44263 Dortmund Germany;
Quantum dot; InGaAs; Waveguide; Semiconductor optical amplifier; Absorption bleaching;
机译:工作在800 nm的基于AlInAs / AlGaAs量子点的半导体光放大器中的超快增益和折射率动力学
机译:工作于1.55μm的量子点,量子破折号和量子阱半导体光放大器的载流子动力学
机译:不同的InGaAsP量子阱的序列影响对半导体光放大器-超发光二极管的宽带特性的影响
机译:半导体光放大器和电吸收调制器的InGaAs自组装量子点单片集成
机译:使用量子点和量子阱半导体光学放大器的慢速和快光。
机译:broadband InGaAs量子点分子用于宽带应用
机译:隧道注入的基于量子点的半导体光放大器在1300 nm范围内的超快响应