From Editors

摘要

SiC半導体の国際学会「ICSCRMrn2007」を取材しました（pp.33-45）。そrnこで目立ったのが日本メーカーの元rn気の良さです。従来，海外メーカーrnはMOSFETの実用化が難しいためrnに，比較的ハードルが低いJFETにシrnフトし始めていました。ところが，三rn菱電機やロームの成果に触発されてrn「海外勢が再びMOSFETに力を入れrn始めた」（SiCデバイス技術者）とのこrnとです。基栃やプロセス装置が国内rnメーカーから供給される環境も整っrnてきました。