机译:使用SiGe HBT在170 GHz时具有4.5 dBm输出功率的倍频器/调制器
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore;
Frequency modulation; Heterojunction bipolar transistors; Impedance; Power generation; Silicon germanium; Capacitive degeneration; frequency doubler; sub-terahertz;
机译:具有17.4 dBm输出功率和16.3%PAE的60 GHz SiGe:C HBT功率放大器
机译:60 GHz SiGe-HBT功率放大器,在15 dBm输出功率下具有20%PAE
机译:具有25.5dBm峰值饱和输出功率和28.7%最大PAE的宽带4.5–15.5 GHz SiGe功率放大器
机译:用于功率受限应用的高效138?170 GHz SiGe HBT倍频器
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:使用四阳极肖特基二极管的135-190 GHz宽带自偏置倍频器
机译:宽带20至28GHz信号发生器mmIC,输出功率为30.8dBm,基于功率放大器单元,siGe为31%paE
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造