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机译:55 nm CMOS技术中1.3 GHz-2.5 GHz数字辅助振荡器的宽带线性增强方法
Zhejiang Univ Hangzhou Peoples R China|Eindhoven Univ Technol Eindhoven Netherlands;
Zhejiang Univ Hangzhou Peoples R China;
Zhejiang Univ Hangzhou Peoples R China;
Zhejiang Univ Hangzhou Peoples R China;
Eindhoven Univ Technol Eindhoven Netherlands|Silicon Austria Labs Graz Austria;
Linearity; Ring oscillator; Digitally-assisted oscillator; Digital array radar;
机译:一个234-261-GHz 55-nm SiGe BiCMOS信号源,具有5.4-7.2 dBm的输出功率,1.3%的DC-RF效率和1GHz的分频输出
机译:采用65nm CMOS技术的全线性5.2 GHz-5.8 GHz数控振荡器
机译:65-NM CMOS技术的完全线性5.2 GHz - 5.8 GHz数字控制振荡器
机译:0.5V至0.9V 0.2GHz至5GHz超低功耗数字辅助模拟环形PLL,采用22nm FinFET CMOS技术的锁定时间少于200ns
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:使用曲率补偿振荡器的线性化时域CMOS智能温度传感器
机译:低噪声CMOS电压控制振荡器设计方法强调非线性效果贡献,2.4 GHz CMOS设计示例