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Synthesis of silicon nanowire and crystalline carbon quantum dots heterostructure and study of photo response and photoluminescence property

机译:硅纳米线合成及结晶碳量子点异质结构及光致发光性能研究

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摘要

Silicon nanowire based heterostrucure or nanocomposites becomes intrigued in next generation energy conversion devices. Herein, we have prepared n type silicon nanowires (n-SiNWs) and water soluble Carbon Quantum Dots (CQD) through metal assisted etching and hydrothermal method respectively. The CQD possesses very low dimensions around 2-4 nm which becomes spin coated on n type silicon nanowires. The formation of silicon nanowires/ Carbon Quantum Dots heterostructures (n-SiNW/CQD) exhibits excellent photo current properties with Ilight/IDark had apparent value within the range 1.36-3.83. The heterostructure also exhibits a strong photoluminescence spectrum in blue region.
机译:基于硅纳米线的异质性或纳米复合材料在下一代能量转换装置中呼吸。 在此,我们通过金属辅助蚀刻和水热法制备了N型硅纳米线(N-SINW)和水溶性碳量子点(CQD)。 CQD具有大约2-4nm的非常低的尺寸,其变得旋涂在n型硅纳米线上。 硅纳米线/碳量子点异质结构(N-SINW / CQD)的形成表现出优异的光电性能,Ilight / Idark在1.36-3.83范围内具有明显值。 异质结构也表现出蓝色区域的强光致发光光谱。

著录项

  • 来源
    《Materials Letters》 |2021年第15期|130493.1-130493.4|共4页
  • 作者单位

    Jadavpur Univ Sch Mat Sci & Nanotechnol Kolkata 700032 W Bengal India;

    Indian Inst Technol Sch Nano Sci & Technol Kharagpur 721302 W Bengal India;

    Jadavpur Univ Sch Mat Sci & Nanotechnol Kolkata 700032 W Bengal India;

    Teerthanker Mahaveer Univ Fac Engn & Comp Sci Dept Phys Moradabad 244001 UP India;

    Jadavpur Univ Sch Mat Sci & Nanotechnol Kolkata 700032 W Bengal India|Jadavpur Univ Dept Phys Thin Film & Nanosci Lab Kolkata 700032 W Bengal India;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Photo response; CQD; Si nanowire; Photoluminescence;

    机译:照片响应;CQD;Si纳米线;光致发光;

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