40-V-Gate-Treiber von Diodes Inc. verringert IGBT-Schaltverluste

摘要

Speziell für das Schalten von Hochleistungs-IGBTs hat Diodes Incor-porated den Gate-Treiber ZXGD3006E6 entwickelt. Der Baustein unterstützt die Erhöhung des Wirkungsgrades bei Invertern für Solarzellen und Motorsteuerungen sowie in Stromversorgungen. Bei einem Eingangsstrom von 1 mA liefert der Gate-Treiber einen typischen Ausgangsstrom von 4 A, was ihn zu einer perfekten Pufferstufe mit hoher Verstärkung macht, die schaltungstechnisch zwischen dem hochimpedanten Ausgang eines Controllers und dem niederimpedanten Eingang eines IGBTs platziert wird. Mit seiner Emitterfolger-Konfigurati-on ist der ZXGD3006E6 systembedingt unempfindlich gegenüber Latch-Up- und Shoot-Through-Effekten. Die Verzögerungszeiten liegen unter 10 ns.