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【24h】

Mechanism of Growth of the Ge Wetting Layer Upon Exposure of Si(100)-2 × 1 to GeH_4

机译:Si(100)-2×1暴露于GeH_4时Ge润湿层的生长机理

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摘要

Germanium (Ge) semiconductor materials receive much attention because of their unusual optoelectronic properties and their compatibility with well-established silicon (Si) technologies. Ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV-CVD) is the technique
机译:锗(Ge)半导体材料因其不寻常的光电性能以及与成熟的硅(Si)技术的兼容性而备受关注。超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)是一项技术

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