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LOW-κ MATERIALS: TESTING RESISTANCE TO ELECTRICAL BREAKDOWN

机译:LOW-κ材料:抗电击穿性能测试

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摘要

In the semiconductor industry, silicon dioxide (SiO_2) is currently the most widely used insulating material. Low-κ materials, that is, those with a dielectric constant, κ, lower than that of SiO_2, are advantageous because they permit the use of thinner insulation layers, increasing the packing density of semiconductor components on a chip. However, a lower dielectric constant comes at a price: such materials are more susceptible to breakdown under an electric field.
机译:在半导体工业中,二氧化硅(SiO_2)是目前使用最广泛的绝缘材料。低κ材料(即介电常数κ低于SiO_2的材料)是有利的,因为它们允许使用更薄的绝缘层,从而增加了芯片上半导体组件的封装密度。然而,较低的介电常数是有代价的:这种材料在电场下更容易击穿。

著录项

  • 来源
    《Journal of the American Chemical Society》 |2015年第15期|4875-4875|共1页
  • 作者

    Alexander Hellemans;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);美国《化学文摘》(CA);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:09:38

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