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机译:通过光致发光的过度吸收位移对单个InAlAs量子点中核自旋极化的详细测量
Department of Applied Physics Hokkaido University N13 W8 Kitaku Sapporo 060-8628 Japan;
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CREST Japan Science and Technology Agency Kawaguchi 332-0012 Japan;
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CREST Japan Science and Technology Agency Kawaguchi 332-0012 Japan;
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Zeeman splitting; Exciton; Quantum dots; Hyperfine interaction; 72.25.Fe; 78.67.Hc; 73.21.La; 78.55.Cr;
机译:通过光致发光的过度吸收位移在单个InAlAs量子点中核自旋极化的详细测量
机译:通过光致发光的过度吸收位移在单个InAlAs量子点中核自旋极化的详细测量
机译:来自单个自组装InAlAs量子点的具有精细结构的激子的光致发光的过度吸收位移
机译:激光结构中单个Inalas / Algaas量子点的光致发光映射
机译:电流诱导的旋转极化和动态核极化:砷化镓中电子和核自旋极化的产生和操纵
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:通过使用擦除泵浦探针技术观察到的在单个InAlAs量子点中缓慢自旋扩散的核自旋去极化
机译:量子点中核自旋扩散下的Overhauser场动力学(作者手稿)。