机译:反应性固相外延法制备层状硫族硫属化合物LnCuOCh(Ln = La-Nd; Ch = S-Te)的异质外延薄膜
Hosono Transparent Electro-Active Materials (TEAM) Project, Exploratory Research for Advanced Technology (ERATO), Japan Science and Technology (JST) Agency, KSP C-1232, Takatsu, Kawasaki 213-0012, Japan;
机译:通过反应性固相外延外延生长宽间隙p型半导体:LnCuOCh(Lr = La,Pr和Nd; Ch = S或Se)
机译:宽间隙p型层状硫族硫化物LnCuOCh(Ln = La,Pr和Nd; Ch = S或Se)的外延膜的简并的导电和激子光致发光特性
机译:反应性固相外延生长同源化合物RAO_3(MO)_m的异质外延薄膜的结构:适用于多种材料和外延模板层
机译:具有超晶格结构的复合氧化物单晶薄膜的反应性固相外延新的生长方法
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:逐层原位原子层退火法制备AlN超薄膜的低温原子层外延
机译:LnCuOCh(Ln = La,Pr和Nd; Ch = S或Se)半导体合金的宽间隙p型氧硫族化物外延膜的本征激子光致发光和带隙工程