机译:稀释氮气掺入的残留氧气驱动缺陷介导的室温磁化掺入无定形Al-N-O合金薄膜
UGC-DAE Consortium for Scientific Research Kalpakkam Node Kokilamedu 603104 India University of Madras Chennai Tamil Nadu 600005 India;
UGC-DAE Consortium for Scientific Research Khandwa Road Indore 452001 India;
UGC-DAE Consortium for Scientific Research Kalpakkam Node Kokilamedu 603104 India Material Science Group IGCAR Kalpakkam 603102 India;
UGC-DAE Consortium for Scientific Research Kalpakkam Node Kokilamedu 603104 India;
Thin film; XPS; Electrical Transport; Magnetism; Density functional theory;
机译:纯氮结合的氢化非晶碳薄膜的研究及其在非晶硅太阳能电池中的应用
机译:薄膜非晶态固体的内在键合缺陷:非晶硅(a-Si),氢化非晶硅(a-Si:H),非晶硒(a-Se)和非晶硒-砷合金(a-AsxSe1-x )
机译:“缺陷”的密度和捕获半径:未氮化和氮化的无定形碳薄膜中发光态的猝灭
机译:底物温度对氮铁镍铁素体薄膜一些性质的影响
机译:过渡金属掺杂氧化锌薄膜的缺陷介导磁性
机译:铣削时间对Fe70Zr30部分非晶态合金的均质性和磁性的影响:居里温度分布
机译:掺氮氢化非晶碳薄膜的光电导和表征