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机译:用于大面积HgCdTe红外焦平面阵列的CdZnTe / Si衬底的直接生长
Santa Barbara Research Center, Goleta, CA 93117;
CdZnTe; CdZnTe/Si; heteroepitaxy; HgCdTe; infrared focal plane arrays (INFRAs); liquid phase epitaxy (LPE); metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD); molecular beam epitaxy (MBE);
机译:HgCdTe在大面积红外焦平面阵列硅基板上的MBE生长:近期进展综述
机译:HgCdTe在6 cm X 6 cm CdZnTe基板上用于大型双频红外焦平面阵列的生长
机译:HgCdTe在6 cm×6 cm CdZnTe基板上用于大型双频红外焦平面阵列的生长
机译:在大面积HgCdTe IRFPA的Si(100)和Si(112)衬底上直接进行CdZnTe的MBE生长
机译:硅基板上的砷化镓铟/磷化铟量子阱红外光电探测器,用于低成本焦平面阵列。
机译:在c面蓝宝石衬底上通过CVD进行大面积单层MoS2纳米片的分散生长和激光诱导的波纹
机译:同时二色HgCdTe红外焦平面阵列的光谱串扰抑制设计