机译:金属有机气相外延和分子束外延n-GaAs的电子辐照诱导缺陷和肖特基二极管特性
Institute for Microstructural Sciences, National Research Council Canada, M-50 Montreal Road, Ottawa, Ontario K1A 0R6 Canada;
deep level transient spectroscopy (DLTS); defects; electron irradiation; GaAs; metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE); molecular beam epitaxy (MBE);
机译:通过分子梁和熔融蒸汽相van der waals外延的MOS_2的外延登记和结晶度
机译:三甲基镓在AllnGaN势垒中的流动对大气压金属有机气相外延生长的近紫外发光二极管的光电特性的影响
机译:各种TMGa流量的AlInGaN势垒层对常压金属有机气相外延生长的近紫外发光二极管光电特性的影响
机译:金属有机气相外延和氢化物气相外延的选择性地区生长和外延横向过度生长
机译:利用氢化物气相外延和分子束外延技术开发基于氮化镓的紫外和可见光发光二极管。
机译:等离子体辅助分子束外延生长的Zn极性BeMgZnO / ZnO异质结构上肖特基二极管的制备
机译:外延石墨烯作为掩膜在4H-SiC上通过金属有机气相外延生长GaN的纳米选择性区域
机译:金属有机气相外延1986.金属有机气相外延国际会议论文集(第3期)于1986年4月13日至17日在加利福尼亚州环球城举行