...
机译:GSMBE生长和AlInP / InGaAsP应变补偿多层异质结构的表征
Chinese Acad Sci, Grad Sch, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China;
dislocations; strain compensated; gas source molecular beam epitaxy; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; X-RAY-DIFFRACTION; GAS-SOURCE MBE; MISFIT DISLOCATIONS; LASERS; INP; DEFECTS;
机译:LPE的生长和INGAASP / INP异质结构的表征-1.66 MU-M的红外发光二极管-在甲烷气体远程监测中的应用
机译:LPE的生长和InGaAsP / InP异质结构的特征:1.66μm的红外发光二极管。在甲烷气体远程监测中的应用
机译:高产量,可靠,高功率,高速,InP / InGaAsP封盖台面埋层异质结构分布反馈(CMBH-DFB)激光器的生长和表征
机译:GSMBE对压缩紧张和应变补偿的生长和压制的压缩性孔隙/ INGAASP量子阱进行1.3mum波长激光器
机译:铁电,铁磁薄膜及其异质结构的生长,表征和功能
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:基于InP的晶格匹配InGaAsP和应变补偿InGaAs / InGaAs量子阱电池,用于热光电应用
机译:用于开发高效相干源的重应变和应变补偿的I型Gasb基异质结构的研究,工作范围为2.3 - 3.5微米