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【24h】

Chemical planarization of GaN using hydroxyl radicals generated on a catalyst plate in H_2O_2 solution

机译:使用H_2O_2溶液中催化剂板上生成的羟基自由基对GaN进行化学平坦化

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摘要

A novel technique for planarizing gallium nitride (GaN) wafers has been developed. In this method, hydroxyl radicals (OH~·) catalytically generated on a polishing plate are used to oxidize the surface of a GaN wafer, and the produced oxide is dissolved in
机译:已经开发出用于平坦化氮化镓(GaN)晶片的新技术。在该方法中,使用在抛光板上催化生成的羟基自由基(OH〜·)氧化GaN晶片的表面,并将生成的氧化物溶解在

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