机译:局部InAs / InP量子点的一步式纳米选择性区域生长(nano-SAG):迈向单光子源应用的第一步
Laboratoire de Photonique et Nanostructures, LPN-CNRS/UPR20, Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France;
A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor-phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:两步生长中InAs / InGaAs / InP量子点形成的第一步成核生长依赖性
机译:纳米图案InP(001)衬底上InAs量子点的局部生长
机译:用于1.55μm激光应用的基于Inas / inp的量子点的生长
机译:单个光子源应用的局部INAS / INP量子点的一步纳米选择区域生长
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:基于微柱中InAs双层量子点的1.3μm明亮单光子源
机译:InP上用于红外光电探测器应用的高质量InAs量子点多层结构的生长