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Schlieren technique to in situ monitor rapidly-growing KDP crystal surface

机译:Schlieren技术现场监测快速增长的KDP晶体表面

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摘要

A technique based on the optical Schlieren method is developed to investigate in situ the growing crystal morphology under real rapid profiling growth ocnditions. The paper deals with the technique and results of experiments related to rapid profiled growth of a KDP crystal with the cross-section 8×8 cm~2 and the (1 0 1) or (1 0 0) face growing at a normal growth rate upto 1 mm/h. It is shown thatthe sturcture of growth centers on the growing surface essentially depends on the growth conditions, which provide additional possibilities of the crystal quality control.
机译:开发了一种基于光学Schlieren方法的技术,用于在真实快速轮廓生长情况下原位研究生长的晶体形态。本文研究了与KDP晶体快速剖面生长有关的技术和实验结果,该晶体的横截面为8×8 cm〜2,且(1 0 1)或(1 0 0)面以正常生长速率生长高达1毫米/小时。结果表明,生长中心在生长表面上的结构基本上取决于生长条件,这为控制晶体质量提供了其他可能性。

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