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机译:由于随机离散掺杂而导致的体MOSFET电容波动
Device Modelling Group, Dept. Electronics & Electrical Engineering, University of Glasgow, Glasgow, G12 8LT, UK;
MOSFET; capacitance; fluctuations; variation; timing;
机译:由于离散掺杂物的随机分布,导致16 nm体MOSFET中的栅极电容和动态特性波动不对称
机译:在存在随机离散掺杂剂和随机界面陷阱的情况下,16nm栅极高k /金属栅极MOSFET的物理和电气特性波动的统计设备仿真
机译:随机掺杂波波动引起的负电容MOSFET变异性的性能提高
机译:由于离散掺杂物的随机分布,导致16 nm体MOSFET的栅极电容不对称和高频特性波动
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:由随机离散掺杂剂引起的体mOsFET中的电容波动
机译:由量子效应引起的随机掺杂剂诱导阈值波动和低于100 nm mOsFET的降低:三维密度梯度模拟研究