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Evidence for Indirect Annihilation of Free Excitons in II‐VI Semiconductor Lasers

机译:II-VI半导体激光器中自由激子间接An灭的证据

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摘要

Experimental results obtained on CdS, ZnO, and CdSe are presented which show electron‐beam‐pumped laser emission resulting from the decay of free excitons to photons and longitudinal optical (LO) phonons. Calculations based on available absorption data for ZnO and CdS show that at 77°K the required exciton density for stimulated emission is about 1017 and 1018 cm-3, respectively.
机译:给出了在CdS,ZnO和CdSe上获得的实验结果,这些结果显示了自由激子向光子和纵向光学(LO)声子衰减所产生的电子束泵浦激光发射。基于可用的ZnO和CdS吸收数据的计算表明,在77°K时,激发发射所需的激子密度分别约为1017和1018 cm-3。

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  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |1967年第13期|共3页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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  • 正文语种 eng
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