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机译:与半导体-金属过渡有关的高于100 kbars的压力校准固定点
机译:基于NaCl压缩将压力校准至100 kbar
机译:基于NaCl压缩的100至200 kbar之间的压力固定点
机译:密件抄送过渡金属的等温压缩至100 kbar
机译:基于使用化学还原方法生产的过渡金属和半导体基金的电阻层的类型,并施加固定薄膜电阻器
机译:与Si(100)集成的VO2 / NiO外延异质结构的半导体到金属的跃迁特性。
机译:MoS2MoSe2WS2和WSe2晶体中直接光学跃迁和半导体到金属跃迁的压力系数
机译:基于NaCl压缩的压力校准到100 kbar