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机译:Nb3Sn晶体的杨氏模量在4.2和300 K之间
机译:厚度依赖性杨氏模量的多晶alpha-pbo纳米片
机译:原位纳米压痕和有限元建模确定多晶二氧化钛微球的杨氏模量
机译:纳米压痕法测试多晶Li_(12)Si_7的杨氏模量
机译:杨氏多晶硅膜的杨氏模量
机译:纯镁在4.2K--300K温度范围内的塑性变形行为。
机译:磁场引起的叶绿素增加导致光系统II的荧光延迟:4.2至300 K之间的100至200 ns分量
机译:测定多晶材料杨氏模量局部值的实验和计算方法
机译:杨氏多晶Nb sub 3 sn模量的软化