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机译:居里温度高于300 K时的磁冷却
机译:居里温度高于300 K的Mn掺杂InAs自组织稀释磁性量子点层
机译:掺Gd的GaN:一种非常稀的铁磁半导体,居里温度高于300 K
机译:确定稀铁磁半导体中的居里温度:高居里温度(Ga,Mn)As
机译:从低至300 k的第二阶段温度冷却到低至300 k的第二阶段,在第一阶段从0到250W冷却
机译:铁,镍,钴与氧的反应以及居里温度下的磁转变
机译:增强居里温度的Gd掺杂EUS纳米晶体的合成和磁性
机译:掺Gd的GaN:一种非常稀的铁磁半导体,居里温度高于300 K