机译:氢氟酸浓度对Ag辅助化学刻蚀法制备的多孔硅纳米线光致发光特性演变的影响
Photonics Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, Kingdom of Saudi Arabia;
机译:氢氟酸浓度对Ag辅助化学刻蚀法制备的多孔硅纳米线光致发光特性演变的影响
机译:通过Ag辅助化学蚀刻方法制备硅纳米线的结构和光学特性
机译:Ag辅助电化学刻蚀制备的多孔硅的光致发光增强和稳定
机译:由通过无电蚀刻的Si-纳米线制备多孔硅的形态
机译:一维硅纳米线的细胞响应以及在纳米线生长之前用氢氟酸蚀刻硅(111)基板的效果。
机译:化学刻蚀法制备硅纳米线的光电特性
机译:氢氟酸浓度对Ag辅助化学刻蚀法制备的多孔硅纳米线光致发光特性演变的影响