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机译:在10波段和8波段kp模型中建模的GaInNAs / GaAs量子阱的波段结构和光学增益
Institute of Physics, Wroclaw University of Technology, 50-370 Wroclaw, Wybrzeze Wyspianskiego 27, Poland;
Fermi level; III-V semiconductors; conduction bands; energy gap; gallium arsenide; indium compounds; semiconductor doping; semiconductor heterojunctions; semiconductor quantum wells; 6172uj; 7120Nr; 7320At; 7321Fg; 7867De;
机译:在10波段和8波段kp模型中模拟的GalnNAs / GaAs量子阱的波段结构和光增益
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