...
机译:H + sup> MeV能量离子注入n-Si晶片中电子传输性质的深度剖面重构,采用光载流子辐射
Institute of Modern Optical Technologies & Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Jiangsu Key Lab of Advanced Optical Manufacturing Technologies & MOE Key Lab of Modern Optical Technologies, Soochow University, Suzhou 215006, China;
机译:使用光载流子辐射技术在H〜+ MeV能量注入的n-Si晶片中电子传输特性的深度剖面重建
机译:非线性载流子辐射法表征B〜+离子注入的硅片的电子输运特性
机译:非线性对具有光载体辐射测定法的离子植入硅晶片电子传输表征的影响
机译:脉冲光热辐射法测定琼脂组织体模深度分布
机译:新型光载流子射线照相法和锁定式照相术在量子点光伏太阳能电池中的定量载流子传输
机译:钙钛矿单晶中光电载流子传输特性的非接触式测量
机译:室温下可见区域中已处理和未处理的单晶p-Si
机译:离子注入合金的成分深度剖面和退火效应